
BAT42W RHG Taiwan Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAT42W RHG Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 5ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BAT4xW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAT42W RHG за ціною від 0.98 грн до 15.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAT42W RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT4xW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.65V Max. forward impulse current: 4A Reverse recovery time: 5ns Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BAT42W RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V |
на замовлення 12446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 30V; 0.5A; 5ns; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.65V Max. forward impulse current: 4A Reverse recovery time: 5ns Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT4xW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT42W RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |