
BAT54HMT116 Rohm Semiconductor
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6225+ | 1.96 грн |
6383+ | 1.91 грн |
10000+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAT54HMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BAT54HMT116 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 600mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 800mV, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BAT54HMT116 за ціною від 1.69 грн до 16.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAT54HMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT54HMT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT54HMT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT54HMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V |
на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAT54HMT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|