
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 17.17 грн |
30+ | 11.42 грн |
100+ | 5.37 грн |
1000+ | 2.94 грн |
3000+ | 2.21 грн |
9000+ | 1.99 грн |
24000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV170-QR Nexperia
Description: DIODE ARRAY GP 75V 215MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAV170-QR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV170-QR | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV170-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BAV170-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 85V; 125mA; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.125A Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: common cathode; double Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BAV170-QR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA Supplier Device Package: TO-236AB Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
BAV170-QR | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 85V; 125mA; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.125A Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: common cathode; double Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Application: automotive industry |
товару немає в наявності |