BAV170QA147 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 320mA (DC)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 164300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9746+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV170QA147 NXP USA Inc.
Description: DIODE, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 320mA (DC), Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V.
Інші пропозиції BAV170QA147 за ціною від 3.43 грн до 3.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAV170QA147 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BAV170QA147 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 164300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|