на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV170QAZ Nexperia
Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC), Supplier Device Package: DFN1010D-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAV170QAZ за ціною від 2.35 грн до 19.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAV170QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
 Diode Switching 85V 0.32A 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 164300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAV170QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC) Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAV170QAZ | Виробник : Nexperia |
Small Signal Switching Diodes BAV170QA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 5124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAV170QAZ | Виробник : Nexperia |
Diode Switching 85V 0.32A 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BAV170QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Rectifier Diode Switching 75V 0.32A 3ns Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BAV170QAZ | Виробник : Nexperia |
Diode Switching 85V 0.32A 3-Pin DFN-D EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BAV170QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 85V; 320mA; 3us; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 320mA Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: common cathode; double Case: DFN1010D-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.54W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BAV170QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE ARR GP 75V 180MA DFN1010D3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC) Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BAV170QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 85V; 320mA; 3us; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 320mA Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: common cathode; double Case: DFN1010D-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.54W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching Application: automotive industry |
товару немає в наявності |