Технічний опис BAV19-TAP Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: switching; THT; 120V; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO35; 50ns, Type of diode: switching, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 120V, Load current: 0.25A, Reverse recovery time: 50ns, Semiconductor structure: single diode, Capacitance: 1.5pF, Case: DO35, Max. forward voltage: 1V, Max. forward impulse current: 1A, Kind of package: Ammo Pack, Max. load current: 0.625A, Features of semiconductor devices: small signal.
Інші пропозиції BAV19-TAP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV19-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV19-TAP | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV19-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV19-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; THT; 120V; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO35; 50ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 120V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 1.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 0.625A Features of semiconductor devices: small signal |
товару немає в наявності |