
BAV199LT1G ON Semiconductor
на замовлення 936000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.52 грн |
6000+ | 1.38 грн |
9000+ | 1.16 грн |
24000+ | 1.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV199LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BAV199LT1G - Kleinsignaldiode, Einpaarig in Reihe, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAV19, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BAV199LT1G за ціною від 1.01 грн до 15.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 438000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 70 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 936000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 438000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 90274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.215A; 3ns; SOT23; 225mW; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 3ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 2pF Case: SOT23 Power dissipation: 0.225W Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.45A |
на замовлення 5884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.215A; 3ns; SOT23; 225mW; reel,tape Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.215A Reverse recovery time: 3ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 2pF Case: SOT23 Power dissipation: 0.225W Kind of package: reel; tape Max. load current: 0.45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G Код товару: 92107
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 70 V |
на замовлення 21645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 48569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV199LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAV19 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 90274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BAV199LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|