
BAV19W-G3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 24.46 грн |
21+ | 16.67 грн |
100+ | 9.12 грн |
1000+ | 4.12 грн |
2500+ | 3.53 грн |
10000+ | 2.72 грн |
15000+ | 2.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV19W-G3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOD-123, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V.
Інші пропозиції BAV19W-G3-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV19W-G3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV19W-G3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BAV19W-G3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 100 V |
товару немає в наявності |