
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1600+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV20,113 Nexperia
Description: NEXPERIA - BAV20,113 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-204AH, Durchlassstoßstrom: 1A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BAV20, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BAV20,113 за ціною від 1.45 грн до 14.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: ALF2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 13457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAV20 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BAV20,113 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 250mA; reel; Ifsm: 9A; SOD27; Ir: 100uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 9A Case: SOD27 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns Power dissipation: 0.4W Leakage current: 0.1mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: ALF2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BAV20,113 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: ALF2 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BAV20,113 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 250mA; reel; Ifsm: 9A; SOD27; Ir: 100uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.25A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: reel Max. forward impulse current: 9A Case: SOD27 Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 50ns Power dissipation: 0.4W Leakage current: 0.1mA |
товару немає в наявності |