Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BAV21W-HE3-08
BAV21W-HE3-08

BAV21W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

BAV19W_20W_21W_Rev1.6_2-18-23.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.51 грн
6000+3.13 грн
9000+2.60 грн
30000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAV21W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: SOD-123, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BAV21W-HE3-08 за ціною від 3.66 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BAV21W-HE3-08 BAV21W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19W_20W_21W_Rev1.6_2-18-23.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
22+13.79 грн
100+6.72 грн
500+5.26 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W-HE3-08 BAV21W-HE3-08 Vishay Semiconductors BAV19W_20W_21W_Rev1.6_2-18-23.pdf Small Signal Switching Diodes 250V 625mA 1A IFSM
на замовлення 10780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W-HE3-08 BAV19W_20W_21W_Rev1.6_2-18-23.pdf
BAV21W-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-123
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 45769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
22+13.79 грн
100+6.72 грн
500+5.26 грн
1000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV21W-HE3-08 BAV19W_20W_21W_Rev1.6_2-18-23.pdf
BAV21W-HE3-08
Виробник: Vishay Semiconductors
Small Signal Switching Diodes 250V 625mA 1A IFSM
на замовлення 10780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.