
на замовлення 69836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11451+ | 2.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV23QAZ Nexperia
Description: DIODE ARRAY GP 250V DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 330mA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAV23QAZ за ціною від 3.45 грн до 21.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 190mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215 Mounting: SMD Case: DFN1010D-3; SOT1215 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 250V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 190mA Semiconductor structure: common cathode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 9A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching |
на замовлення 4892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 190mA; 50ns; DFN1010D-3,SOT1215 Mounting: SMD Case: DFN1010D-3; SOT1215 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 250V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 190mA Semiconductor structure: common cathode Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 9A Leakage current: 0.1mA Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4892 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BAV23QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 250 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |