
BAV70M3T5G ON Semiconductor
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16000+ | 1.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV70M3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BAV70M3T5G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-723, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BAV70M3T5G за ціною від 1.23 грн до 13.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-723 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-723 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V |
на замовлення 25018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT723; Ufmax: 1.25V; 640mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT723 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.64W |
на замовлення 7960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 6ns; SOT723; Ufmax: 1.25V; 640mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 1.5pF Case: SOT723 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.64W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BAV70M3T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 24817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAV70M3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |