
BAV70QAZ Nexperia
на замовлення 18990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3690+ | 2.04 грн |
6000+ | 2.00 грн |
15000+ | 1.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAV70QAZ Nexperia
Description: DIODE ARRAY GP 100V DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 175mA (DC), Supplier Device Package: DFN1010D-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BAV70QAZ за ціною від 1.83 грн до 11.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 300mA; 4ns; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common cathode; double Case: DFN1010D-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.54W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 1A Features of semiconductor devices: fast switching |
на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 205000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 300mA; 4ns; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common cathode; double Case: DFN1010D-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.54W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 1A Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 175mA (DC) Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BAV70QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 189350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
BAV70QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 175mA (DC) Supplier Device Package: DFN1010D-3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |