Продукція > NXP > BAV99 E6327

BAV99 E6327 NXP


Виробник: NXP
0751+ SOP20
на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAV99 E6327 NXP

Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC), Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V.

Інші пропозиції BAV99 E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAV99E6327 Виробник : INFINEON bav99series.pdf 06+ QFP
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BAV 99 E6327 BAV 99 E6327 Виробник : Infineon Technologies bav99series.pdf Diode Switching Si 85V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BAV99E6327 BAV99E6327 Виробник : Infineon Technologies bav99series.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
товар відсутній
BAV 99 E6327 BAV 99 E6327 Виробник : Infineon Technologies bav99series-89113.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.2A
товар відсутній