
BAW56HMT116 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SSD3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAW56HMT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BAW56HMT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 80 V, 125 mA, 1 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BAW56HMT116 за ціною від 1.61 грн до 17.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V |
на замовлення 5790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 125mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAW56HMT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |