
BAW56LT1G ON Semiconductor
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAW56LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BAW56LT1G - Kleinsignaldiode, schaltend, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 6ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BAW56, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BAW56LT1G за ціною від 0.52 грн до 56.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 609000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 609000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 64183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 116365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 64183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 116365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BAW56LT1G | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAW56LT1G Код товару: 172840
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V |
на замовлення 57463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 68764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BAW56LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAW56LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 715 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAW56LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BAW56LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BAW56LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 6ns Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.3W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching |
товару немає в наявності |