BAW56QAZ Nexperia USA Inc.
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3550+ | 5.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAW56QAZ Nexperia USA Inc.
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: switching; SMD; 90V; 310mA; 4ns; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V, Type of diode: switching, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 90V, Load current: 310mA, Reverse recovery time: 4ns, Semiconductor structure: common anode; double, Case: DFN1010D-3, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 4A, Leakage current: 0.5µA, Power dissipation: 0.54W, Kind of package: reel; tape, Application: automotive industry, Max. load current: 0.5A, Features of semiconductor devices: fast switching.
Інші пропозиції BAW56QAZ за ціною від 4.36 грн до 21.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAW56QAZ | Виробник : Nexperia |
 Diode Switching 0.31A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 224000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BAW56QAZ | Виробник : Nexperia |
Diode Switching 0.31A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 79652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BAW56QAZ | Виробник : Nexperia |
Small Signal Switching Diodes The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| BAW56QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 0.31A 4ns Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
на замовлення 236145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
BAW56QAZ | Виробник : Nexperia |
Diode Switching 0.31A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BAW56QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 90V; 310mA; 4ns; DFN1010D-3; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 90V Load current: 310mA Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common anode; double Case: DFN1010D-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.5µA Power dissipation: 0.54W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Max. load current: 0.5A Features of semiconductor devices: fast switching |
товару немає в наявності |