Технічний опис BAW56W/DG/B2,115 NXP Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT-323, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: SOT-323, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150mA (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA.
Інші пропозиції BAW56W/DG/B2,115 за ціною від 3.19 грн до 3.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAW56W/DG/B2,115 | NXP Semiconductors |
BAW56W/DG/B2,115 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BAW56W/DG/B2,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
BAW56W/DG/B2,115
BAW56W/DG/B2,115
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9901+ | 3.57 грн |
| 11112+ | 3.19 грн |


