BB814E7801GR1HTSA1

BB814E7801GR1HTSA1 Infineon Technologies


INFNS16375-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Capacitance Ratio: 2.25
Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Capacitance Ratio Condition: C2/C8
Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Diode Type: 1 Pair Common Cathode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2840+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 2840
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BB814E7801GR1HTSA1 Infineon Technologies

Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Capacitance Ratio: 2.25, Voltage - Peak Reverse (Max): 18 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Capacitance Ratio Condition: C2/C8, Q @ Vr, F: 200 @ 2V, 100MHz, Capacitance @ Vr, F: 22.7pF @ 8V, 1MHz, Operating Temperature: -55°C ~ 125°C, Diode Type: 1 Pair Common Cathode, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.