BC849BE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC849BE6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BC849BE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BC 849B E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
BC 849B E6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC849BE6327 |
|
на замовлення 14380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC 849B E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC 849B E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




