BC848B HXY MOSFET
Виробник: HXY MOSFET
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B HXY MOSFET TBC848b HXY
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 0.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848B HXY MOSFET
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 250mW, SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC848B за ціною від 0.39 грн до 31.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC848B | LMSEMI |
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 300MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B LMSEMI TBC848b LMSкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848B | MERRY |
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B MERRY TBC848b MERкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848B | FUXINSEMI |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B SOT23 FUXINSEMI TBC848b FUXкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848B | DIOTEC |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B-DIO; BC848B TBC848b DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC-848-B | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | MDD |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 |
на замовлення 3000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 200@2MA,5V 200MW 100MA NPN S |
на замовлення 2552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
на замовлення 9107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BC848B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BC848B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BC848B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 730 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC848B | Diotec |
SOT-23 Транзистори |
на замовлення 25 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| BC848B |
![]() |
Виробник: LMSEMI
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 300MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B LMSEMI TBC848b LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 300MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B LMSEMI TBC848b LMS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.39 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: MERRY
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B MERRY TBC848b MER
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP; BC848B MERRY TBC848b MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.40 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: FUXINSEMI
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B SOT23 FUXINSEMI TBC848b FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B SOT23 FUXINSEMI TBC848b FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.42 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B-DIO; BC848B TBC848b DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B-DIO; BC848B TBC848b DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 600+ | 1.06 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.51 грн |
| 6000+ | 1.28 грн |
| 9000+ | 1.20 грн |
| BC-848-B |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8689+ | 2.18 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4602+ | 3.07 грн |
| 5770+ | 2.45 грн |
| 9000+ | 2.01 грн |
| 21000+ | 1.69 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: MDD
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
на замовлення 3000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 4.60 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 7.14 грн |
| 200+ | 1.53 грн |
| 233+ | 1.31 грн |
| 286+ | 1.00 грн |
| 320+ | 0.90 грн |
| 500+ | 0.83 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 200@2MA,5V 200MW 100MA NPN S
Description: 30V 200@2MA,5V 200MW 100MA NPN S
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 7.14 грн |
| 149+ | 2.06 грн |
| 244+ | 1.25 грн |
| 500+ | 0.84 грн |
| 1000+ | 0.73 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 9.20 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 9.39 грн |
| 338+ | 2.23 грн |
| 395+ | 1.91 грн |
| 491+ | 1.48 грн |
| 530+ | 1.27 грн |
| 568+ | 1.14 грн |
| 1000+ | 0.98 грн |
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
на замовлення 9107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC848B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC848B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC848B |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







