Технічний опис BC107B PBFREE Central Semiconductor
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції BC107B PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BC107B PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp. | Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 150MHz 600 mW Through Hole TO-18 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BC107B PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
BC107B PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA |
товару немає в наявності |