Технічний опис BC107B PBFREE Central Semiconductor
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції BC107B PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC107B PBFREE | Central Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 600mW 3-Pin TO-18 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC107B PBFREE | Central Semiconductor Corp. | Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 150MHz 600 mW Through Hole TO-18 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| BC107B PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC107B PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 600mW 3-Pin TO-18
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 600mW 3-Pin TO-18
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC107B PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp.
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 150MHz 600 mW Through Hole TO-18 Транзистори
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 150MHz 600 mW Through Hole TO-18 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC107B PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 600 mW
Description: 45V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.