BC109C TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.23 грн |
| 10+ | 142.98 грн |
| 100+ | 99.32 грн |
| 250+ | 91.22 грн |
| 500+ | 83.13 грн |
| 1000+ | 75.78 грн |
| 2000+ | 65.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC109C TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 25V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 600 mW.
Інші пропозиції BC109C TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC109C TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 25V 200MA 600MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |