BC307B LGE
Виробник: LGE
Transistor PNP; 460; 350mW; 45V; 100mA; 280MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BC557B; BC307BRL1G; BC307B TBC307b
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC307B LGE
Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 280MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 350 mW.
Інші пропозиції BC307B за ціною від 4.61 грн до 16.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC307B | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 19100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC307B | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 19100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC307B | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BC307B | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||
| BC307B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||
|
BC307B | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP |
товару немає в наявності |



