BC337-25 A1G

BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor


bc337-16series_b14.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1439+8.1 грн
3219+ 3.62 грн
4044+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 1439
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC337-25 A1G за ціною від 2.13 грн до 20.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC337-25 A1G BC337-25 A1G Виробник : Taiwan Semiconductor bc337-16series_b14.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+19.62 грн
45+ 13.06 грн
100+ 8.22 грн
1000+ 3.54 грн
2500+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
BC337-25 A1G BC337-25 A1G Виробник : Taiwan Semiconductor BC337-16%20Series_B14.pdf Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.92 грн
23+ 13.83 грн
100+ 7.64 грн
1000+ 3.45 грн
2500+ 2.79 грн
8000+ 2.19 грн
24000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
BC337-25 A1G BC337-25 A1G Виробник : Taiwan Semiconductor bc337-16series_b14.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
BC337-25 A1G BC337-25 A1G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16%20Series_B14.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній