BC337-25 A1G

BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor


BC337_thru_BC338-16_25_40_VerB14.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor
на замовлення 1661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.43 грн
24+13.59 грн
100+7.52 грн
500+4.64 грн
1000+3.66 грн
2500+3.23 грн
5000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC337-25 A1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC337-25 A1G BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337_thru_BC338-16_25_40_VerB14.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC337-25 A1G BC337_thru_BC338-16_25_40_VerB14.pdf
BC337-25 A1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.