Продукція > NXP > BC337-25,112

BC337-25,112 NXP


BC817_BC817W_BC337.pdf
Виробник: NXP
(NPN, Uкэ=45V, Iк=0.8A, h21=160...400, 0.625Вт, 210МГц, TO-92 )(аналог КТ 660А) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC337-25,112 NXP

Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC337-25,112

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC337-25,112 BC337-25,112 Виробник : NXP USA Inc. BC817_BC817W_BC337.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.