BC338-25 A1

BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor


BC337_16_Series_B14-1917971.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 30V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor
на замовлення 7630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.43 грн
100+ 7.34 грн
500+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC338-25 A1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC338-25 A1 BC338-25 A1 Виробник : Taiwan Semiconductor bc337-38-162025204020a12.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
BC338-25 A1 Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BC337_thru_BC338-16_25_40_VerA12.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній