BC338-25 DIOTEC SEMICONDUCTOR


bc337.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.8A; 625mW; TO92
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 250
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.8A
Mounting: THT
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+9.01 грн
61+6.86 грн
104+4.02 грн
500+2.77 грн
1000+2.39 грн
4000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC338-25 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC338-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC338-25 за ціною від 2.35 грн до 12.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC338-25 BC338-25 Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3276+4.31 грн
4167+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 BC338-25 Diotec Semiconductor bc337.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.51 грн
42+7.23 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 BC338-25 Diotec Semiconductor bc337.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 25V, 800mA, NPN
на замовлення 9185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 BC338-25 DIOTEC SEMICONDUCTOR bc337.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC338-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 bc337.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3276+4.31 грн
4167+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 bc337.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.8A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.51 грн
42+7.23 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 bc337.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 25V, 800mA, NPN
на замовлення 9185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC338-25 bc337.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC338-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.