Технічний опис BC517G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції BC517G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC517G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BC517G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BC517G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |