BC517ZL1G ON Semiconductor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC517ZL1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції BC517ZL1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC517ZL1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 30V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
|
| BC517ZL1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 30V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
||
 |
BC517ZL1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 30V 1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |