Продукція > NEXPERIA > BC52-10PAS-QX
BC52-10PAS-QX

BC52-10PAS-QX NEXPERIA


BC52XPAS-Q_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC52-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC52xPAS-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.79 грн
34+24.97 грн
100+13.46 грн
500+10.61 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC52-10PAS-QX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC52-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.65 W, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.65W, Bauform - Transistor: DFN2020D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC52xPAS-Q Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC52-10PAS-QX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC52-10PAS-QX BC52-10PAS-QX Виробник : Nexperia USA Inc. BC52XPAS_SER.pdf Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC52-10PAS-QX BC52-10PAS-QX Виробник : Nexperia USA Inc. BC52XPAS_SER.pdf Description: BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC52-10PAS-QX BC52-10PAS-QX Виробник : Nexperia BC52XPAS_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC52-10PAS-Q/SOT1061/HUSON3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.