BC53PA,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A 3HUSON
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.02 грн |
| 17+ | 17.94 грн |
| 100+ | 11.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC53PA,115 Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A 3HUSON, Qualification: AEC-Q100, Grade: Automotive, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2), Frequency - Transition: 145MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-PowerUDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 420 mW.
Інші пропозиції BC53PA,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC53PA,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistors |
на замовлення 9602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
BC53PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC53PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.65 Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC53PA,115 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistors
Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A PNP medium power transistors
на замовлення 9602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC53PA,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC53PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.65
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BC53PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.65
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)