BC546B TIN/LEAD

BC546B TIN/LEAD Central Semiconductor


BC546_48ABC-1652404.pdf Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80 Vceo 200mA 500mW Trans
на замовлення 3259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.86 грн
10+56.94 грн
100+32.45 грн
500+25.10 грн
1000+23.42 грн
2000+19.82 грн
4000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC546B TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції BC546B TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC546B TIN/LEAD BC546B TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Corp BC546-48ABC.PDF Description: 65V 100MA 500MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.