Технічний опис BC546BTF ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції BC546BTF за ціною від 2.41 грн до 18.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC546BTF | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 25604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 999 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | onsemi |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 5929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC546BTF | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 36127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 3.94 грн |
| 4000+ | 3.39 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 25604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8646+ | 4.08 грн |
| 10000+ | 3.63 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2443+ | 5.78 грн |
| 6000+ | 5.56 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 9.78 грн |
| 125+ | 6.06 грн |
| 204+ | 3.70 грн |
| 500+ | 2.69 грн |
| 1000+ | 2.41 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.02 грн |
| 34+ | 12.55 грн |
| 39+ | 10.79 грн |
| 56+ | 7.51 грн |
| 100+ | 6.42 грн |
| 200+ | 5.50 грн |
| 500+ | 4.53 грн |
| BC546BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.77 грн |
| 27+ | 11.22 грн |
| 100+ | 6.98 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 4.25 грн |






