Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC54PA,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 810mW, Bauform - Transistor: HUSON3, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC54PA,115 за ціною від 7.35 грн до 7.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC54PA,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BC54PA,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3 |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
BC54PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
BC54PA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 810mW Bauform - Transistor: HUSON3 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC54PA,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
Trans GP BJT NPN 45V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.35 грн |
| BC54PA,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3
Bipolar Transistors - BJT BC54PA/SOT1061/HUSON3
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC54PA,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC54PA,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BC54PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 810 mW, HUSON3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 810mW
Bauform - Transistor: HUSON3
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





