BC55-10PAS-QX Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2149+ | 16.49 грн |
| 10000+ | 14.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC55-10PAS-QX Nexperia
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: DFN2020D, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC55xPAS-Q series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC55-10PAS-QX за ціною від 7.01 грн до 31.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC55-10PAS-QX | Nexperia USA Inc. |
Description: POWER BJTS IN DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC55-10PAS-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC55-10PAS-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC55xPAS-Q series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC55-10PAS-QX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: POWER BJTS IN DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: POWER BJTS IN DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.07 грн |
| 14+ | 21.46 грн |
| 100+ | 10.82 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 1000+ | 7.01 грн |
| BC55-10PAS-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC55xPAS-Q series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC55xPAS-Q series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC55-10PAS-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC55xPAS-Q series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC55-10PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC55xPAS-Q series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





