BC556BTF ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4855+ | 2.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC556BTF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC556BTF за ціною від 2.94 грн до 19.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC556BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 94000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Frequency: 150MHz Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 97344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC556BTF | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 15098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 2.94 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 2.95 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 3.91 грн |
| 4000+ | 3.37 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8646+ | 4.08 грн |
| 10000+ | 3.63 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8646+ | 4.08 грн |
| 10000+ | 3.63 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2374+ | 5.95 грн |
| 6000+ | 5.51 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 200...450
Mounting: THT
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.41 грн |
| 41+ | 10.41 грн |
| 60+ | 7.08 грн |
| 100+ | 5.98 грн |
| 500+ | 4.15 грн |
| 1000+ | 3.59 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 18.71 грн |
| 75+ | 10.99 грн |
| 113+ | 7.27 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 4.01 грн |
| BC556BTF |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 97344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.99 грн |
| 28+ | 11.12 грн |
| 100+ | 6.93 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| 1000+ | 4.22 грн |






