BC556BTF ON Semiconductor
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4855+ | 2.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC556BTF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC556BTF за ціною від 2.12 грн до 22.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC556BTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 146000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC556BTF | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Frequency: 150MHz Kind of package: reel; tape |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 148114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Formed Current gain: 200...450 Mounting: THT Frequency: 150MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC556BTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC556BTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC556BTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BC556BTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |