BC558BRL ON Semiconductor


BC556%2C%20557%2C%20558%20Rev2.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 124000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6834+5.18 грн
10000+4.61 грн
100000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC558BRL ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції BC558BRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC558BRL BC558BRL onsemi BC556%2C%20557%2C%20558%20Rev2.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC558BRL BC558BRL onsemi BC556B_D-2310094.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC558BRL BC556%2C%20557%2C%20558%20Rev2.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC558BRL BC556B_D-2310094.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.