BC558BZL1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO92
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Packaging: Tape & Box (TB)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC558BZL1G onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO92, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Frequency - Transition: 360MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads), Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції BC558BZL1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BC558BZL1G | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
BC558BZL1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS T092 GP XSTR PNP 30V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BC558BZL1G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC558BZL1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS T092 GP XSTR PNP 30V
Bipolar Transistors - BJT SS T092 GP XSTR PNP 30V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



