Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC559CTA за ціною від 2.98 грн до 20.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC559CTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Formed Current gain: 420...800 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 150MHz |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC559CTA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP Epitaxial Silicon |
на замовлення 174447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 2.98 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 2.99 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3948+ | 3.59 грн |
| 6000+ | 3.39 грн |
| 10000+ | 3.37 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 4.00 грн |
| 4000+ | 3.44 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 4.13 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.5W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92 Formed
Current gain: 420...800
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 18.49 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC559CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 19.31 грн |
| 75+ | 10.92 грн |
| 111+ | 7.36 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 4.11 грн |
| BC559CTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.64 грн |
| 27+ | 11.35 грн |
| 100+ | 7.07 грн |
| 500+ | 4.88 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |







