на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1241+ | 6.59 грн |
| 3000+ | 5.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC56-16PA-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC56-16PA-7 за ціною від 5.47 грн до 40.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 520 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC56-16PA-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC56-16PA-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC56-16PA-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 520 mW, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Med PWR Trans 1A Ic 2A Icm |
на замовлення 9388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 1A U-DFN2020-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 520 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 102208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Inc |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BC56-16PA-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 520mW 3-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BC56-16PA-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 520mW; U-DFN2020-3 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 0.52W Pulsed collector current: 2A Current gain: 25...250 Collector-emitter voltage: 80V Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 125MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-3 Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |