BC56PA,115 Nexperia USA Inc.


BC56PA_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC56PA,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.65W, Bauform - Transistor: SOT-1061, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC56PA, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC56PA,115 за ціною від 6.65 грн до 28.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC56PA,115 BC56PA,115 Nexperia USA Inc. BC56PA_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+16.98 грн
100+10.68 грн
500+7.47 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC56PA,115 BC56PA,115 NEXPERIA BCP56_BCX56_BC56PA.pdf Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56PA
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC56PA,115 BC56PA_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 420 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.74 грн
18+16.98 грн
100+10.68 грн
500+7.47 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC56PA,115 BCP56_BCX56_BC56PA.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.65W
Bauform - Transistor: SOT-1061
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC56PA
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.