BC635ZL1G onsemi


BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1A TO92
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 26000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC635ZL1G onsemi

Description: TRANS NPN 45V 1A TO92, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226).

Інші пропозиції BC635ZL1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC635ZL1G Infineon Technologies BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC635ZL1G BC635ZL1G onsemi bc635-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 45V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC635ZL1G BC635%2C%20637%2C%20%20639%20Rev5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC635ZL1G bc635-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 45V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.