BC806-16HR Nexperia


bc806h_ser.pdf
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 415mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12712+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 12712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC806-16HR Nexperia

Description: NEXPERIA - BC806-16HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC806H, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції BC806-16HR за ціною від 2.36 грн до 16.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC806-16HR BC806-16HR Nexperia USA Inc. BC806H_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.50 грн
6000+3.02 грн
9000+2.84 грн
15000+2.47 грн
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806-16HR Nexperia USA Inc. BC806H_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.93 грн
30+10.08 грн
100+6.29 грн
500+4.33 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806-16HR NEXPERIA 2944712.pdf Description: NEXPERIA - BC806-16HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC806H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806-16HR Nexperia BC806H_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC806-16H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806-16HR NEXPERIA 2944712.pdf Description: NEXPERIA - BC806-16HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC806H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806H_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.50 грн
6000+3.02 грн
9000+2.84 грн
15000+2.47 грн
21000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806H_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+16.93 грн
30+10.08 грн
100+6.29 грн
500+4.33 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR 2944712.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC806-16HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC806H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR BC806H_SER.pdf
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC806-16H/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC806-16HR 2944712.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC806-16HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC806H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.