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Технічний опис BC806-25HR Nexperia
Description: NEXPERIA - BC806-25HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC806H, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC806-25HR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BC806-25HR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC806-25HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC806H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BC806-25HR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC806-25HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC806H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC806-25HR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC806-25HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC806-25HR |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC806-25HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 300 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




