BC807-16LT1G ON Semiconductor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-16LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC807-16LT1G за ціною від 1.17 грн до 12.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 89996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 89996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 31180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC807-16LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC807-16LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC807-16LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 BC807-16LT1G TBC80716 ONS кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BC807-16LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |