Продукція > NEXPERIA > BC807-16QB-QZ
BC807-16QB-QZ

BC807-16QB-QZ NEXPERIA

3388609.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.22 грн
1000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-16QB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: BC807QB-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC807-16QB-QZ за ціною від 1.67 грн до 21.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC807-16QB-QZ BC807-16QB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.05 грн
23+ 12.1 грн
100+ 5.88 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.2 грн
2000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
BC807-16QB-QZ BC807-16QB-QZ Виробник : Nexperia BC807QB_Q_SER-2498442.pdf Bipolar Transistors - BJT BC807-16QB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
23+ 13.44 грн
100+ 4.81 грн
1000+ 2.87 грн
25000+ 2.07 грн
50000+ 1.94 грн
100000+ 1.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
BC807-16QB-QZ BC807-16QB-QZ Виробник : NEXPERIA 3388609.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: BC807QB-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.57 грн
51+ 14.9 грн
128+ 5.86 грн
500+ 4.22 грн
1000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
BC807-16QB-QZ BC807-16QB-QZ Виробник : Nexperia USA Inc. BC807QB-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній