Продукція > NEXPERIA USA INC. > BC807-16QBH-QZ
BC807-16QBH-QZ

BC807-16QBH-QZ Nexperia USA Inc.

BC807QBH-Q_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+3.25 грн
10000+2.82 грн
15000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC807-16QBH-QZ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 550mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC807-16QBH-QZ за ціною від 3.61 грн до 18.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Nexperia bc807qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 89050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4630+7.59 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Nexperia bc807qbh-q_ser.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4630+7.59 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Nexperia USA Inc. BC807QBH-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.47 грн
28+10.75 грн
100+6.68 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ Nexperia BC807QBH-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 12216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807-16QBH-QZ NEXPERIA 3679914.pdf Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ bc807qbh-q_ser.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 89050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4630+7.59 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ bc807qbh-q_ser.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4630+7.59 грн
10000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4630 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807QBH-Q_SER.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 420 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.47 грн
28+10.75 грн
100+6.68 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ BC807QBH-Q_SER.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS
на замовлення 12216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ 3679914.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16QBH-QZ 3679914.pdf
BC807-16QBH-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC807-16QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 550mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.