BC807-25LT1G ON Semiconductor
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC807-25LT1G за ціною від 0.8 грн до 9.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP |
на замовлення 58359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7979 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор PNP; Uceo, В = 45; Ic = 500 мА; ft, МГц = 100; hFE = 160 @ 100 мA, 1 В; Р, Вт = 0.3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SOT-23-3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
PNP 45V 500mA 225mW BC807-25LT1G ONS TBC80725 ONS кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=160/400 |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC807-25LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4695590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |