
BC807-25QAZ NXP USA Inc.

Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 505000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9366+ | 2.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25QAZ NXP USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 900 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC807-25QAZ за ціною від 2.05 грн до 17.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BC807-25QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-25QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-25QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BC807-25QAZ | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BC807-25QAZ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |